Improvement of P-Type Contact in WSe

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Tingting Chen, Kaige Gao, Jialei Miao, Junjie Wu, Wei Xu, Xinlong Zeng, Cheng Zhang, Heng Zhang, Tianjiao Zhang, Xiaowei Zhang, Yuda Zhao

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 920.71 Men

Thông tin xuất bản: United States : Nano letters , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 191394

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Two-dimensional (2D) material-based p-channel field-effect transistors (FETs) are key elements for the realization of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. WSe

Tạo bộ sưu tập với mã QR