Vanadium-Doped Hafnium Oxide: A High-Endurance Ferroelectric Thin Film with Demonstrated Negative Capacitance.

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Ehsan Ansari, Emeric Hartmann, Adrian Mihai Ionescu, Niccolò Martinolli, Igor Stolichnov, Anna Varini

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại: 025 Operations of libraries, archives, information centers

Thông tin xuất bản: United States : Nano letters , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 193362

This study proposes and validates a novel CMOS-compatible ferroelectric thin-film insulator made of vanadium-doped hafnium oxide (V:HfO

Tạo bộ sưu tập với mã QR