Wide Bandgap Tellurium Oxide Semiconductor as A Back Contact Modifier for Efficient n-i-p Sb

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anwen Gong, Huafei Guo, Zhi Lin, Cong Liu, Yaohua Mai, Kai Shen, Dingzheng Wang, Baomin Xu, Jie Zeng, Yong Zhang, Chen Zuo

Ngôn ngữ: eng

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: United States : ACS applied materials & interfaces , 2025

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: NCBI

ID: 238853

The wide-bandgap and p-type semiconductor layer plays a crucial role in the antimony selenide (Sb

Tạo bộ sưu tập với mã QR