Transistor hiệu ứng trường dây nano silicon và đặc trưng dòng điện – điện thế của linh kiện=Silicon nanowire field effect transistor and current-voltage characteristics of the device

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Văn An Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Khoa học và Công nghệ (ĐH Công nghiệp TP. HCM), 2024

Mô tả vật lý: tr.82-91

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 244330

Thêm vào giỏ

Nanowire Field Effect Transistors (NW-FETs) have been one of the most exciting research topics, attracting special attention from scientists worldwide. Many recent studies demonstrate that these devices exhibit excellent electromechanical properties and can be used for manufacturing the next-generation integrated circuits (ICs). This paper presents a model of an NW-FET, consisting of a silicon nanowire placed in the channel to enhance conduction efficiency and mitigate the short-channel effects. A novel approach in this research involves the utilization of the Schrödinger-Poisson equation and the Non-equilibrium Green’s Function (NEGF) method to calculate current-voltage characteristics in the component. Subsequently, the calculated results are simulated using Matlab software with various parameters such as channel length, semiconductor doping concentration, and gate oxide thickness, etc. The experiments indicate that the proposed method gives us accurate results and can be applied to other nanoscale devices.Transistor hiệu ứng trường dây Nano Silicon (NW-FET) là một trong những chủ đề nghiên cứu hấp dẫn nhất, thu hút sự quan tâm đặc biệt của các nhà khoa học trên toàn thế giới. Nhiều nghiên cứu gần đây chứng minh rằng linh kiện này thể hiện các đặc tính cơ - điện tuyệt vời và có thể được áp dụng để chế tạo các vi mạch tích hợp (ICs) thế hệ tiếp theo. Bài viết này trình bày một mô hình SiNW-FET, bao gồm một dây Nano Silicon được đặt trong kênh dẫn để tăng cường hiệu quả hoạt động và giảm thiểu hiệu ứng kênh ngắn. Một hướng tiếp cận mới trong nghiên cứu này là sử dụng phương trình Schrödinger-Poisson và phương pháp Hàm Green không cân bằng (NEGF) để tính toán các đặc trưng dòng điện-điện thế trong linh kiện. Sau đó, các kết quả tính toán được mô phỏng bằng phần mềm Matlab với các thông số khác nhau như độ dài kênh, nồng độ pha tạp chất bán dẫn, độ dày oxit cổng...Những kết quả thực nghiệm cho thấy rằng phương pháp đề xuất cho kết quả tính toán chính xác và có thể áp dụng cho các linh kiện điện tử nano khá

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR