In this paper, the structural, electronic, and transport properties of two - dimensional monolayer HfSiSP 2 were considered by the density functional theory (DFT). The analysis of the phonon spectra and ab - initio molecular dynamics simulations confirms that HfSiSP 2 monolayer has a dynamically stable structure and high thermal stability. The obtained results show that , HfSiSP 2 is an indirect semiconductor with a band gap of 0.63 eV. Besides, it is indicated that the effect of mechanical strain and external electric field on the electronic properties of HfSiSP 2 monolayer is significant. The applied strain significantly changes the band gap of HfSiSP 2 . In addition, the transport characteristics of HfSiSP 2 monolayer were also investigated in this work. The results showed that HfSiSP 2 has potential applications for electronic componentsTrong bài báo này, các đặc tính cấu trúc, điện tử và truyền dẫn của đơn lớp hai chiều HfSiSP 2 được khảo sát bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Phân tích phổ phonon và mô phỏng động lực phân tử ab-initio cho thấy, đơn lớp HfSiSP 2 có cấu trúc bền vững về mặt động học và có độ ổn định nhiệt tốt. Kết quả tính toán chỉ ra đơn lớp HfSiSP 2 ở trạng thái cơ bản là một bán dẫn có vùng cấm xiên với độ rộng vùng cấm là 0,63 eV. Bên cạnh đó, ảnh hưởng của biến dạng cơ học và điện trường ngoài đến tính chất điện tử của HfSiSP 2 là đáng kể. Biến dạng đã làm thay đổi một cách đáng kể độ rộng vùng cấm của HfSiSP 2 . Ngoài ra, các đặc trưng truyền dẫn của HfSiSP 2 cũng đã được tính toán trong bài báo này. Kết quả cho thấy HfSiSP 2 có tiềm năng ứng dụng cho thiết bị linh kiện điện tử.