Biên dạng bề mặt của thiết bị hội tụ Fresnel trong quá trình chế tạo phụ thuộc vào nhiềuyếu tố bao gồm độ dày, độ phẳng và độ rõ nét hoa văn của lớp cản quang (PR) được sử dụnglàm mặt nạ cứng trong kỹ thuật quang khắc Si. Vật liệu cản quang SU-8 với độ nhớt cao, cókhả năng tạo ra các lớp cản quang có độ dày lớn, có thể được sử dụng làm mặt nạ cứng trongquy trình chế tạo thiết bị hội tụ Fresnel. Tuy nhiên, để đạt được độ dày màng khoảng 10µm vớiyêu cầu bề mặt phẳng và không có bọt khí sau các giai đoạn sấy là rất khó khăn. Bài báo nàytrình bày ảnh hưởng của nhiệt độ và thời gian sấy lên chất lượng của màng vật liệu cản quangSU-8. Theo đó, để đạt được chất lượng cần thiết của lớp cản quang, giai đoạn sấy gồm hai bướcđã được sử dụng. Thời gian và nhiệt độ cho sấy mềm tương ứng là 60 phút và 60°C, trong khigiai đoạn sấy sau phơi sáng phải được giữ ở 90°C trong khoảng một giờ. Kết quả thử nghiệmcho thấy các khuyết tật trên lớp vật liệu cản quang bao như các vết nứt, bọt khí đã được loạibỏ. Do đó, các thông số sấy này là phù hợp cho ứng dụng đã sử dụng màng cản quang dày làmmặt nạ cứng trong quy trình quang khắc sâu.The surface profile of Fresnel lens during the fabrication process depends on many factorsincluding the thickness, flatness, and pattern clarity of a photoresist (PR) film used as a hardmask for the Si lithography. SU-8 PR with a high viscosity, which is capable of creating largethickness films, can be used as a hard mask in the Fresnel lens fabrication processes. However,it is not easy to achieve a film thickness of about 10 µm with the requirement of a flat surface,free of air bubbles after the baking phases. This paper presents the effect of temperature andbaking time on the quality of SU-8 PR film. Accordingly, to achieve the required quality of PRfilm, a two-step baking phase was employed. The time and temperature for a soft-bakingcorresponds to 60 minutes and 60°C, respectively, while a post exposure baking (PEB) phasemust be kept at 90°C for about one hour. The experimental results show that the defectsincluding PR cracking, bubble problem on the PR layer are eliminated. Thus, these bakingparameters are feasible for the application used a thick PR film as a hard mask in a deeplithography process.