Insulated gate bipolar transistor (IGBT) : theory and design

• Tác giả: Vinod Kumar Khanna
• Ngôn ngữ: eng
• ISBN-13: 978-0471722915
• Ký hiệu phân loại: 621.3815282 Electrical, magnetic, optical, communications, computer engineering; electronics, lighting
• Thông tin xuất bản: Piscataway, New Jersey : IEEE Press, 2003.
• Mô tả vật lý: 1 PDF (xix, 627 pages) : , illustrations.
• Bộ sưu tập: Tài liệu truy cập mở
• ID: 314048
• Chủ đề: 1. Insulated gate bipolar transistors

Includes bibliographical references and index.

Tóm tắt

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. . All-in-one resource. Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics.. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.