Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc và độ bền của sulfamethoxazole hấp phụ trên bề mặt rutile TiO2 (001)

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Hồng Nhung Ngô, Ngọc Trí Nguyễn, Tiến Trung Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học Trường Đại học Quy Nhơn, 2022

Mô tả vật lý: tr.8

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 331870

 In recent years, the understanding of processes on material surfaces has drawn considerable interest from scientists. The adsorption stage is important for further insights into surface interactions and photocatalytic reactions. In this study, we use density functional theory computations to investigate the adsorption of sulfamethoxazole (SMX) molecules on the rutile-TiO2 (001) surface (r-TiO2). Results show that the process of SMX adsorbed on r-TiO2 is quite strong with an adsorption energy of -51 kcal.mol-1 obtained at vdW-DF2 functional. The adsorption configurations are stabilized mainly by electrostatic interactions between >
 S=O group and Ti5f sites. Besides, the C/N-H‧‧‧Ob hydrogen bonds are evaluated as an important addition in stabilizing complexes. The AIM and charge density transfer analyses confirm the existence and role of surface interactions in the adsorption process.Trong những năm gần đây, sự hiểu biết về các quá trình trên bề mặt vật liệu là chủ đề quan tâm đối với các nhà khoa học. Giai đoạn hấp phụ quan trọng đối với những nhìn nhận xa hơn về các tương tác bề mặt và các phản ứng quang xúc tác. Trong nghiên cứu này chúng tôi sử dụng các tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ để khảo sát sự hấp phụ sulfamethoxazole (SMX) trên bề mặt rutile TiO2 (001) (r-TiO2). Các kết quả chỉ ra rằng quá trình SMX hấp phụ trên r-TiO2 là khá mạnh với năng lượng hấp phụ khoảng -51 kcal.mol-1 thu được tại phiếm hàm vdW-DF2. Các cấu hình hấp phụ được làm bền chủ yếu bởi các tương tác tĩnh điện giữa nhóm >
 S=O với các vị trí Ti5f. Bên cạnh đó, các liên kết hydro kiểu C/N-H‧‧‧Ob được đánh giá như sự bổ sung quan trọng trong việc làm bền các phức. Các phân tích AIM và sự chuyển mật độ điện tích khẳng định sự tồn tại và vai trò của các tương tác bề mặt trong quá trình hấp phụ.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH