Cấu trúc của các cluster SiGenSc0/− (n = 3, 4) được nghiên cứu bằng sự kết hợp của giải thuật di truyền, phiếm hàm PBE, lý thuyết chùm tương tác CCSD(T). Cấu trúc hình học, năng lượng tương đối, tần số dao động điều hòa, năng lượng tách electron của các đồng phân được báo cáo. Phiếm hàm PBE cho kết quả tính phù hợp tốt với các tính toán theo phương pháp CCSD(T). Các cấu trúc ổn định của các cluster SiGenSc0/− (n = 3, 4) có độ bôi spin thấp. Các cluster kích thước lớn có thể hình thành từ các cluster kích thước bé bằng cách nhận thêm nguyên tử vào. Kết quả nghiên cứu thu được góp phần định hướng cho việc tạo vật liệu hấp phụ khí.The structures of SiGenSc0/− (n = 3, 4) clusters were investigated by a combination of quantum chemical calculations, including the genetic algorithm (GA), the Perdew-Burke-Ernzerhof PBE functional, and coupled-cluster calculations (CCSD(T)). The geometrical structure, relative energy, harmonic vibrational frequency, adiabatic detachment energies were reported. The PBE functional is in good agreement with the CCSD(T) method. The stable structure of the SiGenSc0/− (n = 3, 4) clusters have a low spin multiplicity. The larger cluster can be formed by adsorbing the atom into the smaller cluster. The obtained results can contribute to the orientation of the nanomaterial formation for gas adsorption.