Cải thiện hệ số công suất nhiệt điện trong hợp chất Mg3Sb2 pha tạp Si cho ứng dụng chuyển đổi nhiệt điện của vật liệu

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anh Tuấn Dương, Trung Kiên Mạc, Hữu Tuân Nguyễn, Kim Ngọc Phạm, Bách Thắng Phan, Raja Das, Đăng Thành Trần

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B, 2022

Mô tả vật lý: tr.1

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 334209

 Mg3Sb2 is a narrow band gap semiconductor with electrical conductivity and thermoelectric properties dependent on structure and doping elements. In this study, to improve the thermoelectric properties of Mg3Sb2, the authors doped Si at different ratios (x=0.05, 0.1, 0.15, 0.25, and 0.3) into Sb sites as the formula Mg3Sb2-xSix to improve the electrical conductivity of doping samples while maintaining a high value of the Seebeck coefficient...Mg3Sb2được biết đến là vật liệu bán dẫn vùng cấm hẹp có độ dẫn điện và đặc tính nhiệt điện phụ thuộc nhiều vào cấu trúc và hàm lượng tạp chất. Trong nghiên cứu này, để cải thiện tính chất chuyển đổi nhiệt điện của Mg3Sb2, các tác giả tiến hành pha tạp Si theo tỷ lệ khác nhau (x=0,05
  0,1
  0,15
  0,25 và 0,3) vào vị trí của Sb trong hợp chất Mg3Sb2-xSix nhằm nâng cao độ dẫn điện mà không làm giảm hệ số Seebeck của vật liệu nền...
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH