Công trình này nghiên cứu vật liệu germanene một chiều (băng nano germanene (GeNRs)) khi được pha tạp các nguyên tử B. Cấu trúc và đặc tính điện từ của hệ trước và sau pha tạp sẽ được nghiên cứu và khảo sát. Có hai tỷ lệ pha tạp được nghiên cứu: B: Ge = 1: 2 và B: Ge = 1: 3. Với bốn cấu hình được nghiên cứu, các cấu hình ổn định và giữ được cấu trúc tổ ong lục giác sau khi pha tạp B. Lý thuyết được sử dụng để nghiên cứu là lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT), kết hợp với phần mềm VASP để mô phỏng vật liệu trên hệ thống máy tính hiệu năng cao. Nghiên cứu đã chỉ ra rằng cấu hình 1-2 (2) có độ rộng vùng cấm mở rộng đến 0,585eV, do đó cấu hình này có tiềm năng ứng dụng trong các bóng bán dẫn trường ở nhiệt độ phòng. Sự lai hóa đa quỹ đạo s-p, sự phân bố và dịch chuyển điện tích trong các cấu hình pha tạp cũng sẽ được nghiên cứu chi tiết. Nghiên cứu mở ra các ứng dụng trong tương lai trong lĩnh vực điện tử nano và công nghệ bán dẫn.This work studies one-dimensional germanene materials (germanene nanoribbons (GeNRs)) when doped with B atoms. The doped structure and electromagnetic properties of the pre-and post-doping systems will be studied and investigated. There are two doping ratios studied, B:Ge=1:2 and B:Ge=1:3. With the four configurations studied, the configurations are stable and retain the hexagonal honeycomb structure after doping. The theory used for research is density functional theory (DFT), combined with VASP software to simulate materials on a high-performance computer system. Research has shown that configuration 1-2(2) has a band gap extended to 0.585eV, thus this configuration has potential application in room temperature field transistors. The s-p multi-orbital hybridization, charge distribution, and displacement in the doped configurations will also be studied in detail. The research opens up future applications in the fields of nanoelectronics and semiconductor technology.