XÁC ĐỊNH DIỆN TÍCH BỀ MẶT TƯƠNG TÁC ĐIỆN HÓA CỦA ĐIỆN CỰC NANO XỐP SILIC BẰNG QUÉT THẾ TUẦN HOÀN

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Trường Giang Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên, 2022

Mô tả vật lý: tr.158 - 164

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 335594

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Các cấu trúc nano xốp dựa trên silic (NP-Si) hiện được quan tâm nghiên cứu trong nhiều lĩnh vực liên quan đến quang điện hóa xúc tác (PEC). Vì vậy, xác định diện tích bề mặt tương tác điện hóa (ESA) của các cấu trúc nano Si này có vai trò quan trọng trong lựa chọn cấu trúc vật liệu và đánh giá hiệu quả xúc tác của chúng. Trong công trình này, ESA của điện cực nano xốp silic (NP-Si) được xác định bằng phương pháp quét thế tuần hoàn (CV). Điện cực nano xốp Si được chế tạo trên đế Si (loại n) bằng kỹ thuật ăn mòn điện hóa trong dung dịch axít HF. Điện cực NP-Si được quét CV trong dung dịch axit H2SO4 (0,1 M) trong vùng điện thế 0 ¸ 200 mV (so với điện cực chuẩn Ag/AgCl) cho xác định ESA dựa trên đặc tính điện dung của bề mặt NP-Si thông qua sự phụ thuộc tuyến tính của cường độ dòng điện hóa vào tốc độ quét của các đường CV. Điện cực nano xốp Si cũng được nghiên cứu tính ổn định bề mặt bằng kỹ thuật ngâm trong dung dịch H2O2. Giá trị ESA của điện cực NP-Si ở trạng thái ổn định được xác định là cỡ 150 cm2 trên 1 cm2 diện tích hình học bề mặt.Currently, nano-porous silicon (NP-Si) structures have been interestingly researched in many fields related to photo-electrochemical catalysis (PEC). Therefore, determination of electroactive surface area (ESA) for the NP-Si structures has an important role in determining approaches in material structures selection and its catalytic effects. In this work, the ESA of NP-Si electrode was determined by cyclic voltammetry (CV). The NP-Si electrode was fabricated by using an electrochemical-etching process of Si wafer (n-type) in HF acid solution. The NP-Si electrode was performed by cycling the potential in range of 0 ¸ 200 mV (vs Ag/AgCl reference potential) in H2SO4 solution (0.1 M) for the ESA determination under the principle based on surface capacitance characteristic of the NP-Si via a linear dependence of electric current on scanning rates of the CV curves. The nano-porous Si electrode was examined for surface state stability by immersion in H2O2 solution. The ESA value of the NP-Si electrode was determined to be approximate 150 cm2 per a graphic surface area of 1 cm2.

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR