ĐÁNH GIÁ HIỆU SUẤT CỦA SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU VIENNA 3 MỨC VỚI VAN BÁN DẪN SIC/GAN VÀ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI CỦA MẠCH

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Thùy Linh Phạm

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Năng lượng, 2022

Mô tả vật lý: tr.6

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 337222

Các van bán dẫn sử dụng vật liệu wide-gap như SiC và GaN, hiện đang rất phổ biến với các thiết kế bộ biến đổi hiệu suất cao. Trên thực tế, việc tích hợp các van bán dẫn này có thể đạt được mức mật độ và hiệu suất năng lượng cao hơn nhiều so với sử dụng các van bán dẫn của thế hệ trước theo công nghệ silicon. Bài báo này đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. Hơn nữa, kết quả nghiên cứu về khả năng chịu lỗi của mạch điện cũng như giải pháp để bảo vệ mạch điện cũng được đề xuất và trình bày. Các tính toán và mô phỏng bằng phần mềm PSIM xác nhận tính hiệu quả của bộ biến đổi cũng như giải pháp bảo vệ được đề xuất.The Wide-gap semiconductor materials, such as SiC and GaN, are now very popular with high efficiency converter designs. In fact, the integration of these semiconductor devices can achieve a much higher level of density and energy efficiency than using the previous generation of siliconbased semiconductor devices. This paper evaluates the 3-Level VIENNA high frequency PWM control using SiC and GaN semiconductor in which MOSFET SiC will be considered as the priority. Furthermore, research results on fault tolerance of converter as well as solutions to protect circuits are also proposed and presented. Calculations and simulations using PSIM software confirm the effectiveness of the converter as well as the proposed protection solution.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH