THIẾT KẾ BỘ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT THẤP, ĐỘ LỢI 100dB SỬ DỤNG CÔNG NGHỆ CMOS

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Manh Kha Hoang, Minh Tan Nguyen, Thi Viet Ha Nguyen, Thanh Son Pham, Xuan Thanh Pham

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học & Công nghệ - Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội, 2023

Mô tả vật lý: tr.203

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 338589

The requirement for reduced size and long battery life for portableapplications in all based on the conditions has accelerated the trend toward lowpower silicon chip systems. The supply voltage is being reduced in order toreduce the system’s overall power usage. The op-amp (OPA) design for highspeed applications requires proper selection of biasing, logic style andcompensation techniques as the technology is scaling down. This paper presentsa design of the two-stage op-amps (OPA) using 90nm process with functionalverification and gain calculations. In order to improve stability, thecompensation technique is added to OPA to improve performance metrics.According to simulation results, the designed OPA obtains a gain of 131dB with60 degrees phase margin. The OPA achieves a gain-bandwidth (GBW) of1.26MHz by consuming a current of 2.56µA from a 1.8V supply.Việc yêu cầu giảm kích thước và kéo dài thời lượng pin cho các ứng dụng diđộng dựa trên mọi điều kiện đã thúc đẩy xu hướng hướng tới các hệ thống chipsilicon sử dụng điện áp và công suất thấp. Điện áp nguồn được giảm xuống đểgiảm mức sử dụng điện năng tổng thể của hệ thống. Việc thiết kế mạch khuếchđại cho các ứng dụng tốc độ cao đòi hỏi phải lựa chọn đúng xu hướng, lối logic vàcông nghệ bù khi công nghệ chế tạo đang thu nhỏ. Bài báo này đề cập đến thiếtkế của bộ khuếch đại hai tầng sử dụng công nghệ 90nm cho việc kiểm tra hoạtđộng và tính toán độ lợi. Để mạch hoạt động hiệu quả, kỹ thuật bù được thêmvào mạch khuếch đại để cải thiện các chỉ số hiệu năng. Theo kết quả mô phỏng,mạch khuếch đại được thiết kế với độ lợi 131dB, biên độ pha là 600. OPA đạt đượcbăng thông khuếch đại (GBW) 1,26MHz bằng cách tiêu thụ dòng điện 2,56µA vàhoạt động ở điện áp cung cấp 1,8V.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH