HIỆU SUẤT TÍCH TRỮ NĂNG LƯỢNG CỦA MÀNG MỎNG SẮT ĐIỆN NHÒE PZT PHA TẠP La CHẾ TẠO BỞI QUY TRÌNH SOL-GEL

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Hà Đặng

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên, 2023

Mô tả vật lý: tr.45726

Bộ sưu tập: Báo, Tạp chí

ID: 339758

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Các màng mỏng sắt điện nhòe PZT pha tạp La (RFE) đã được chế tạo trên đế Pt/Ti/SiO2 bằng quy trình quay phủ sol-gel. Cấu trúc vi mô, kích thước hạt, tính chất sắt điện và hiệu suất tích trữ năng lượng của các màng mỏng đã được nghiên cứu chi tiết. Hình ảnh quét kính hiển vi lực nguyên tử cho thấy màng mỏng PLZT có cấu trúc nhỏ mịn và dày đặc hơn so với màng PZT. Hình thái bề mặt và vi cấu trúc của các màng mỏng đã thể hiện kích thước các hạt PZT lớn hơn, thô hơn so với các hạt PLZT. Phân tích phổ nhiễu xạ tia X cho thấy màng mỏng PZT và PLZT có định hướng ưu tiên (100) và có pha perovskite tinh khiết. Các phép đo tính chất sắt điện ở nhiệt độ phòng cho phép tính toán trị số năng lượng thu hồi lớn nhất (Ureco) là 6,52 J/cm3, hiệu suất tích trữ và chuyển đổi năng lượng (h) là 61,65% thu được đối với màng mỏng PLZT với 8% pha tạp La, ở điện trường E = 1000 kV/cm và tần số f =1 kHz. Những kết quả này chứng tỏ rằng màng mỏng PLZT với 8% pha tạp La rất có tiềm năng cho các tụ điện tích trữ năng lượng mật độ cao.La-doped PZT Relaxor ferroelectric (RFE) thin ﬁlms have been fabricated on the platinum-buffered silicon substrates by a sol-gel process. The microstructure, grain size, electrical properties, and energy-storage performance of the obtained thin ﬁlms were investigated in detail. Scanning electron microscopy images revealed that PLZT thin films show the compact and dense structure. Surface morphology and microstructure of PZT and PLZT thin films indicated the surface grain size of PZT is larger than that of PLZT. X-ray diffraction analysis showed that PLZT thin films are strong preferred orientation (100) and have a pure perovskite phase. Room temperature ferroelectric measurements showed that the maximum values of Ureco of 6.52 J/cm3 and energy-storage efficiency of 61.65% are achieved in the PLZT thin film with 8% La-doping at electric fields 1000 kV/cm and 1 kHz frequency. All these results indicated that the relaxor PLZT thin films with 8% La doping possess potential for capacitors with high energy-storage performance.

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR