Bộ chuyển đổi VIENNA được biết đến nhiều nhất vì sử dụng ít linh kiện bán dẫn có điều khiển nhất. Mục đích của bài báo này là thực hiện phân tích so sánh tổn thất chung của bộ chuyển đổi VIENNA 5 mức và so sánh khả năng chịu lỗi của bộ chuyển đổi này với bộ chuyển đổi SMC 5 mức tương đương về công suất. Hai loại van mới SiC MOSFET và SiC JFET được sử dụng, xét về tổn thất dẫn điện và tổn thất chuyển mạch, SiC MOSFET tốt hơn. Cả hai cấu trúc liên kết VIENNA và SMC 5 mức được nghiên cứu trong bài viết này đều có khả năng chịu lỗi. Nhưng để có được khả năng đó trong thiết kế, điôt của bộ SMC phải chọn điện áp định mức gấp đôi, điều này cũng làm tăng đáng kể tổn thất dẫn điện của mạch. Về mặt năng lượng thì VIENNA tốt hơn SMC nhưng về khả năng chịu sự cố thì VIENNA cho phép ngắn mạch thứ nhất, còn để chịu được sự cố thứ hai thì phải trang bị cầu chì ở cả 2 cực. Mô phỏng PSIM được thực hiện để củng cố nghiên cứu này.The VIENNA converter is best known for using the fewest semiconductor devices. The purpose of this paper is to do a comparative analysis of the overall loss of the 5-level VIENNA converter, and to compare the fault tolerance of this converter with equivalent 5-level Stacked multicell converter (SMC). New SiC MOSFET and SiC JFET are used, in term of conduction losses and switching losses, SiC MOSFET is better. Both 5-level VIENNA and SMC topologies are studied in this article have fault tolerant capability. But to get that capability in the design, the SMC diodes have to choose with double of rating voltage, which also greatly increases the conduction losses. In terms of energy VIENNA is better than SMC, but in terms of fault tolerance, VIENNA allows the first short-circuit, and for the second fault, it needs to be equipped with fusible at both terminals. PSIM simulation is realized for validation this study