ỨNG DỤNG KỸ THUẬT MÔ PHỎNG CẤU TRÚC VẬT LIỆU NANO TRÊN HPC, NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT KHI CHO KALI PHA TẠP SILICENE 1D

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Tùng Nguyễn Thanh, Xuân Cao Thanh

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học - Đại học Thủ Dầu Một, 2024

Mô tả vật lý: tr.37-49

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 379711

 In this project, we looked into the electronic and structural properties to find the best value for adding K atoms to a SiNR substrate by adsorption on the surface of a clean material. Special positions considered are peak, valley, bridge, and hollow to place K atoms with Si-Si bond lengths from 2.5 Å to 3.0 Å and choose the hollow position corresponding to the long bond. As a result, 2.29 Å reaches the optimum with the lowest energy of 1.66 eV
  the magnetic moment has a value of 0.39 µB and has the most stable structure compared to other positions. Compound products produced after doping have a very diverse range of prohibitions, suitable for creating new-generation electronic systems or spin devices.Trong đề tài này, chúng tôi tiến hành khảo sát các tính chất về cấu trúc, điện tử để tìm giá trị tối ưu khi cho pha tạp nguyên tử K với chất nền SiNRs bằng hình thức hấp phụ trên bề mặt chất nguyên sơ. Các vị trí đặc biệt được xem xét là top, valley, bridge và hollow để đặt nguyên tử K với độ dài liên kết Si-Si từ 2,5 Å đến 3,0 Å và cho thấy vị trí hollow ứng với độ dài liên kết là 2,29 Å đạt tối ưu với mức năng lượng -1,66 eV thấp nhất, momen từ có giá trị 0,39µB và có cấu trúc bền nhất so với các vị trí khác. Sản phẩm hợp chất thu được sau pha tạp có độ rộng vùng cấm rất đa dạng, phù hợp với việc chế tạo các linh kiện điện tử thế hệ mới, hay các thiết bị spin.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH