Ảnh hưởng biến dạng đến đường cong điện trễ của vật liệu PbTiO3 cấu trúc xốp

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Văn Trường Đỗ, Hoàng Linh Nguyễn, Minh Sơn Nguyễn, Văn Hội Nguyễn, Thế Quang Trần

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - B, 2024

Mô tả vật lý: tr.60

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 380466

Phân cực tự phát của vật liệu sắt điện đã được ứng dụng rộng rãi trong các linh kiện điện tử như: bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, cảm biến, bộ chuyển đổi điện. Trong các vật liệu sắt điện, PbTiO3 (PTO) là một trong những vật liệu chiếm ưu thế vì chúng có giá trị phân cực tự phát lớn và có thể hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PTO đã được nghiên cứu ở nhiều cấu trúc khác nhau như màng mỏng (thin film), nanowire, nanodot, nanodisk, nanotube...Spontaneous polarisation of ferroelectric materials has been widely applied in electronic components such as random access memory, sensor, and transducer. Among ferroelectric materials, PbTiO3 (PTO) is one of the dominant materials because it has a large spontaneous polarisation value and can operate stably at high temperatures. PTO has been studied in many different structures such as thin film, nanowire, nanodot, nanodisk, and nanotube...
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 36225755 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH