Dây nano Ga2O3 trên đế GaAs (100) đã được nghiên cứu chế tạo thành công bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS) sử dụng xúc tác hạt nano Ag qua hai quá trình gia nhiệt (T1, T2). Bằng phương pháp đồng kết tủa trong dung dịch HF/AgNO3, hạt nano Ag có đường kính 30 - 70nm được lắng đọng lên đế GaAs (100). Với sự có mặt của hạt nano Ag, dây nano Ga2O3 được hình thành trên đế GaAs (100) trong dải nhiệt độ từ 750 - 820oC tại chân không 10–3Torr, gần nhiệt độ cùng tinh eutectic (Te.) của hợp chất Ag-GaAs. Đường kính của dây nano nhận được thay đổi trong khoảng từ 35nm đến 45nm và độ dài từ vài chục nm đến vài trăm m phụ thuộc vào đường kính hạt Ag và thời gian tổng hợp tại nhiệt độ T2. Kết quả khảo sát hình thái học, cấu trúc, thành phần và phổ tán xạ Raman cho thấy dây nano Ga2O3/GaAs (100) thu được có chất lượng tốt. Từ các kết quả nhận được, hướng sử dụng xúc tác Ag mới trong chế tạo dây nano bằng phương pháp VLS ứng dụng trong các linh kiện nano hiệu năng cao được đề xuất.Ga2O3/GaAs (100) nanowires were synthesized by the vapor-liquid-solid (VLS) method, using Ag nanoparticles as a catalyst with two annealing processes of T1 and T2. The Ag nanoparticles were deposited on GaAs (100) with a diameter ranging from 30 -70nm, using precursors of AgNO3 and HF solution by employing the co-precipitation approach. As working pressure of 10–3Torr and at the T2 from 750 - 820oC, Ga2O3nanowires were grown with a 35 - 45nm of diameter and lengths ranging from several tens of nm to a few hundred µm, which strongly depends on the pre-Ag nanoparticles and growth time. The results showed the excellent nanowire quality of as-synthesized morphology, structure, and element characterizations. Beyond this finding, we suggest an Ag nanoparticle catalyst to grow semiconductor nanowires for nanodevices.