Bài báo trình bày kết quả tổng hợp thành công dây nano In2O3/InP(100) bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS), sử dụng hạt xúc tác Au chiều dày 22nm. Tại nhiệt độ biến tính 500oC, dây nano mọc thẳng đứng trên đế InP có đường kính thay đổi từ 30 -70nm và chiều dài của dây từ vài chục nano đến vài trăm μm. Hình thái học của dây nano In2O3 phụ thuộc chủ yếu vào kích thước của hạt xúc tác nano Au ban đầu, áp suất chân không, nhiệt độ và thời gian biến tính. Kết quả nghiên cứu hướng đến một sự đa dạng nguồn In khác nhau, để nuôi dây nano In2O3 hiệu năng cao phục vụ chế tạo linh kiện quang điện - điện tử nano trong tương lai.In this work, we present the synthesis of In2O3 nanowire on InP(100) substrate, a novel indium source, using a 22nm-thick Au layer as a catalyst by the vapor-liquid-solid approach. Vertically-standing In2O3 nanowires are grown along (100) direction and indicate crystallinity and lengths from several tens of nm to several hundreds of μm, at a temperature of 500oC. Their diameters are about 30- 70nm and their length is several tens of nanometers to a few hundred micrometers. The morphology of the nanowire was manipulated by various Au nanoparticle sizes, the working pressure (P), annealing time, and temperature. Using the InP substrate paves a compatible technological advantage in the growth of In2O3 nanowires that is more controlled In source and it allows the growth of In2O3 nanowires at a temperature of 500°C by the VLS method