Mặc dù ảnh hưởng của ứng suất điện và nhiệt độ lên hiệu suất của dị liên kết InGaP / GaAs bóng bán dẫn lưỡng cực (HBT) đã được nghiên cứu và công bố rộng rãi, ít hoặc không có báo cáo nào về InGaP / GaAs các bóng bán dẫn quang dị liên kết (HPT) trong tài liệu. Trong nghiên cứu này, chúng tôi thảo luận về các đặc điểm phụ thuộc vào nhiệt độ của InGaP / GaAs HPT trước và sau khi căng thẳng ở nhiệt độ cao và đánh giá hiệu quả của quá trình thụ động dẫn phát, được phát hiện là có hiệu quả giữ cho HBT InGaP / GaAs không bị phân hủy ở nhiệt độ cao hơn hoặc sau một căng thẳng điện. Sự thụ động của gờ phát cũng có hiệu quả trong việc giữ độ lợi quang học cao hơn ngay cả ở nhiệt độ cao hơn. Một căng thẳng điện đã được cấp cho các HPT bằng cách giữ dòng điện cực thu ở 60 mA trong 15 phút ở 420 K. Ứng suất nhiệt độ cao giảm đáng kể độ lợi hiện tại và độ lợi quang học của HPT mà không có sự thụ động của gờ phát. Mức tăng hiện tại và độ khuếch đại quang của HPT với sự thụ động hóa dẫn phát không bị ảnh hưởng bởi ứng suất nhiệt độ cao. Gờ phát ra thụ động được thấy là hiệu quả hơn trong HBTs.