Ảnh hưởng của bức xạ gamma năng lượng cao với nhiều liều lượng khác nhau (0 -10 kGy) từ nguồn 60Co lên tính chất quang của chấm lượng tử CdSe được tiến hành nghiên cứu bằng các phương pháp quang phổ. Chấm lượng tử CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ này được chế tạo bằng phương pháp hóa ướt có cấu trúc zinc blende kích thước 3.9 nm và 4.4 nm, tương ứng. Các kết quả thực nghiệm cho thấy rằng bức xạ gamma đã ảnh hưởng tới cường độ huỳnh quang, quá trình quang động học của điện tử và làm giảm chất lượng tinh thể của các chấm lượng tử. Hiện tượng hồi phục một phần cường độ huỳnh quang theo thời gian sau khi chiếu xạ gamma được quan sát và được cho là kết quả của hồi phục lệch mạng trong tinh thể. Kết quả cũng chỉ ra rằng lớp vỏ CdS của chấm lượng tử CdSe/CdS lõi/vỏ, ngoài việc giảm hiệu ứng bề mặt và nâng cao hiệu quả lượng tử cho CdSe lõi, nó còn có thể làm giảm ảnh hưởng của bức xạ gamma đến CdSe và khả năng phục hồi của chấm lượng tử cấu trúc CdSe/CdS lõi/vỏ tốt hơn cấu trúc CdSe.