Các đặc điểm thuận nghịch của cường độ dòng điện - điện áp (I-V) và điện dung - điện áp (C-V) của các môđun pin mặt trời silicon vô định hình đã được đo đạc nhằm nghiên cứu hiệu suất của chúng dưới ảnh hưởng của sự thay đổi nhiệt độ do tiếp xúc trực tiếp với nguồn nhiệt hoặc bị che khuất. Nhiệt độ môđun tác động trực tiếp đến cường độ dòng rò thuận nghịch. Các điểm hư hại và quá nhiệt của môđun năng lượng mặt trời, liên quan đến hiệu ứng nhiệt, cũng được ghi lại và thảo luận. Bằng chứng thực nghiệm cho thấy các mức nhiệt độ khác nhau được xác nhận là yếu tố suy giảm chính ảnh hưởng đến hiệu suất, hiệu quả và năng lượng của pin mặt trời., Tóm tắt tiếng anh, Forward and reverse dark current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of commercial amorphous silicon solar modules were measured in order to study their performance under the influence of temperature changes due to direct exposure to heat or to shading. Applied module temperatures were directly related to the amount of each of the forward and reverse leakage currents, respectively. Hot spots defects and overheating of the solar module, linked to thermal effects, were also documented and discussed. Experimental evidence showed that different levels of temperatures are confirmed to be a major degrading factor affecting the performance, efficiency, and power of solar cells and modules.