Trong bài viết này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1, C2 và khuyết đồng thời hai nguyên tử C2. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSSPGNR có độ rộng vùng cấm giảm đáng kể so với mẫu không khuyết. Trong đó, DSSPGNRs khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 có độ rộng vùng cấm giảm nhiều hơn so với DSSPGNRs khuyết đơn nguyên tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc phát triển ứng dụng penta-graphene trong lĩnh vực vi điện tử., Tóm tắt tiếng anh, In this paper, the electronic properties of defective Sawtooth PentaGraphene Nanoribbons (DSSPGNRs) were investigated by calculating the binding energy, band structure, and density of states from first principles method. The types of defects considered here are monovacancy at either 4-coordinated C1 site or 3-coordinated C2 site and 2C double vacancy. The results showed that DSSPGNR has a significantly reduced band gap compared to the original sample. In which, the band gap of double DSSPGNR is more reducer than the one of single DSSPGNR. These findings are expected to provide important guidelines for the practical applications of penta-graphene.