Mật độ trạng thái điện tử trong graphene hai lớp bị hydro hóa dưới ảnh hưởng của điện trường không đổi

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đình Hợi Bùi, Linh Thắng Đỗ, Văn Nhâm Phan

Ngôn ngữ: Vie

Ký hiệu phân loại: 539.7 Atomic and nuclear physics

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 2020

Mô tả vật lý: 30-39

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 414259

Điều tra mật độ điện tử của các trạng thái (DOS) trong graphene hai lớp (H-BLG) đặt trong điện trường một chiều. Bốn loại khác nhau của quá trình hydro hóa được xem xét H-BLG dạng bàn (TL H-BLG), H-BLG dạng ghế (CL HBLG), giảm H-BLG giống bàn (rTL H-BLG) và giảm H-BLG giống ghế (rCL HBLG). Biểu thức của DOS có được nhờ mối quan hệ của nó với hàm Green, sử dụng Hamilton trong xấp xỉ ràng buộc chặt chẽ. Kết quả số cho thấy rằng lớp kép nguyên sơ graphene là chất bán kim loại, trong khi CL H-BLG và TL H-BLG là chất bán dẫn. Bên cạnh đó, điện trường bên ngoài có ảnh hưởng mạnh mẽ đến DOS. Trong tất cả các cấu trúc, DOS ở mức năng lượng Fermi tăng khi tăng cường độ điện trường. Ngoài ra, khoảng cách vùng cấm trong cấu trúc CL H-BLG và TL H-BLG giảm với cường độ điện trường. Các đặc điểm trên là cơ sở cho việc sử dụng điện trường để điều chỉnh các thuộc tính điện tử của H-BLG để nó phù hợp với các ứng dụng trong thiết bị quang điện tử nano. , Tóm tắt tiếng anh, In this work, we investigate the electronic density of states (DOS) in hydrogenated bilayer graphene (H-BLG) subjected in a dc electric field. Four different types of hydrogenation are considered table-like H-BLG (TL H-BLG), chair-like H-BLG (CL HBLG), reduced table-like H-BLG (rTL H-BLG) and reduced chair-like H-BLG (rCL HBLG). The expression of the DOS is obtained by its relation to the Green function, using Hamiltonian in the tight-binding approximation. Numerical results show that pristine bilayer graphene is a semimetal, while the CL H-BLG and TL H-BLG are semiconductors. Besides, the external electric field has a strong influence on the DOS. In all structures, the DOS at the Fermi energy level increases with increasing the electric field strength. In addition, the band gap in CL H-BLG and TL H-BLG structures decreases with the electric field strength. The above characteristics are the basis for the use of an electric field to adjust the electronic properties of H-BLG so that it is suitable for applications in nano-optoelectronic devices.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH