Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đình Hợi Bùi, Ngọc Hiếu Nguyễn, Văn Chương Nguyễn, Thị Tuyết Vi Võ

Ngôn ngữ: Vie

Ký hiệu phân loại: 539.7 Atomic and nuclear physics

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, 2020

Mô tả vật lý: 23-29

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 417457

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Nghiên cứu các tính chất điện tử của gali selenua đơn lớp (GaSe) bằng cách sử dụng lý thuyết hàm mật độ. Tính toán của chúng tôi chỉ ra rằng, ở trạng thái cân bằng, đơn lớp GaSe là chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm gián tiếp là 2,27 eV. Các dải điện tử đơn lớp GaSe được hình thành do sự đóng góp chính của các obitan Ga-d và Se-p. Ảnh hưởng của điện trường vuông góc lên các dải điện tử là khá yếu và khe hở năng lượng của đơn lớp GaSe không phụ thuộc vào điện trường., Tóm tắt tiếng anh, In the present work, we study the electronic properties of monolayer gallium selenide (GaSe) using density functional theory. Our calculations indicate that, at the equilibrium state, monolayer GaSe is a semiconductor with an indirect band gap of 2.27 eV. The electronic bands monolayer GaSe were formed by a main contribution from the Ga-d and Se-p orbitals. The effect of a perpendicular electric field on electronic bands is quite weak and the energy gap of monolayer GaSe does not depend on the electric field.

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR