Nghiên cứu các tính chất điện tử của gali selenua đơn lớp (GaSe) bằng cách sử dụng lý thuyết hàm mật độ. Tính toán của chúng tôi chỉ ra rằng, ở trạng thái cân bằng, đơn lớp GaSe là chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm gián tiếp là 2,27 eV. Các dải điện tử đơn lớp GaSe được hình thành do sự đóng góp chính của các obitan Ga-d và Se-p. Ảnh hưởng của điện trường vuông góc lên các dải điện tử là khá yếu và khe hở năng lượng của đơn lớp GaSe không phụ thuộc vào điện trường., Tóm tắt tiếng anh, In the present work, we study the electronic properties of monolayer gallium selenide (GaSe) using density functional theory. Our calculations indicate that, at the equilibrium state, monolayer GaSe is a semiconductor with an indirect band gap of 2.27 eV. The electronic bands monolayer GaSe were formed by a main contribution from the Ga-d and Se-p orbitals. The effect of a perpendicular electric field on electronic bands is quite weak and the energy gap of monolayer GaSe does not depend on the electric field.