Ảnh hưởng của mật độ dòng điện lên hình thái và tính chất tán xạ Raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc chế tạo bằng lắng đọng điện hóa

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Cao Tuấn Anh, Đào Trần Cao, Lương Trúc Quỳnh Ngân, Nguyễn Anh Vũ

Ngôn ngữ: Vie

Ký hiệu phân loại: 621 Applied physics

Thông tin xuất bản: Khoa học (ĐH Tân Trào), 2021

Mô tả vật lý: 45456

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 419234

Tán xạ Raman tăng cường bề mặt (SERS) là một kỹ thuật phân tích cho phép phát hiện lượng vết của các phân tử hữu cơ và sinh học. Trong kỹ thuật này, đế SERS, nơi mà tín hiệu tán xạ Raman được tăng cường, đóng vai trò đặc biệt quan trọng. Một trong những loại đế SERS được sử dụng phổ biến nhất là các hạt nano bạc (AgNPs) gắn trên một đế rắn. Thông thường, các mảng AgNPs được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng không điện, trong báo cáo này chúng tôi trình bày việc chế tạo các ảng AgNPs trên bề mặt silic bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. Kết quả cho thấy, phương pháp này cho phép tạo ra mảng hạt nano bạc đồng đều về kích thước, hình thái cũng như khoảng cách giữa các hạt. Hơn thế nữa, kích thước và khoảng cách giữa các hạt có thể được điều khiển bảng sự thay đổi mật độ dòng điện hóa. Để kiểm tra hiệu suất của các đế SERS, các mảng hạt AgNPs được sử dụng là đế SERS để phát hiện tinh thể tím (CV). Các kết quả chon thấy cường độ của tín hiệu SERS phụ thuộc mạnh vào kích thước của AgNPs và khoảng cách giữa chúng. Với các mảng hạt AgNPs tối ưu, chúng tôi đã ghi nhận được phổ SERS của CV ở nồng độ dưới 0,1 ppb.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH