Giá trị điện dẫn suất niêm mạc ở bệnh nhân barrett thực quản trên nội soi

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Việt Hằng Đào, Văn Hoàn Phạm

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Y học Việt Nam (Tổng hội Y học Việt Nam), 2022

Mô tả vật lý: 120-123

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 423993

Khảo sát giá trị điện dẫn suất niêm mạc (MA) ở bệnh nhân Barrett thực quản trên nội soi. Đối tượng và phương pháp nghiên cứu nghiên cứu mô tả được thực hiện từ tháng 9/2021 đến tháng 7/2022 trên những bệnh nhân có hình ảnh Barrett thực quản trên nội soi. Kết quả nghiên cứu thu tuyển được 30 bệnh nhân với tuổi trung bình là 48,2 ± 12,1. Tỷ lệ nữ/nam là 1,31. BMI trung bình là 22,9 ± 2,9. Điểm GERD-Q trung bình là 6,97 ± 1,77. Phân loại Prague C và M hình ảnh nội soi là C0M1 (chiếm 93,3%) và C0M2 (chiếm 6,7%). Có 3 trường hợp (10%) có thoát vị hoành trượt, 10 trường hợp (33,3%) có tổn thương viêm thực quản trào ngược kèm theo. Giá trị MA trung vị (tứ phân vị) ở vị trí trên đường Z 5cm và 15 cm lần lượt là 52,10 (30,26 - 77,27) và 51,32 (38,24 - 70,30). Có sự khác biệt giá trị MA giữa nhóm có và không có tổn thương thực quản trào ngược kèm theo. Phân tích hồi quy đa biến cho thấy có mối tương quan dương giữa tổn thương viêm trào ngược thực quản trên nội soi với giá trị MA tại cả 2 vị trí trên đường Z 5cm và 15cm. Kết luận Giá trị MA ở bệnh nhân Barrett thực quản trên nội soi cao hơn so với người bình thường và có mối tương quan dương giữa tổn thương viêm thực quản trào ngược với giá trị MA.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH