Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Ngọc Hiếu Nguyễn, Văn Chương Nguyễn, Văn Hiếu Nguyễn, Thị Tuyết Vi Võ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí khoa học - Trường Đại học Huế, 2020

Mô tả vật lý: 109-116

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 424878

Trong bài báo này, sử dụng Lý thuyết phiếm hàm mật độ, chúng tôi nghiên cứu một cách có hệ thống sự ảnh hưởng của biến dạng lên các tính chất điện tử và tính chất quang học của một vật liệu hai chiều với cấu trúc đơn lớp là GaSe. Các tính toán cho thấy đơn lớp GaSe ở trạng thái cân bằng là một chất bán dẫn có vùng cấm xiên với năng lượng 1,903 eV. Các tính chất điện tử của đơn lớp GaSe, đặc biệt là năng lượng của vùng cấm, phụ thuộc rất lớn vào biến dạng. Đơn lớp GaSe có phổ hấp thụ rộng, trải dài từ miền ánh sáng nhìn thấy đến vùng tử ngoại gần. Bên cạnh đó, biến dạng làm thay đổi đáng kể cường độ cũng như vị trí của các đỉnh trong phổ quang học của đơn lớp GaSe.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH