Trong công trình này, sử dụng phương pháp ma trận mật độ tối thiểu, chúng tôi nghiên cứu các số hạng tuyến tính, phi tuyến bậc ba và số hạng tổng của độ thay đổi chiết suất (RICs) do quá trình dịch chuyển nội vùng và liên vùng trong MoSe2 đơn lớp khi có mặt từ trường. Kết quả cho thấy rằng khi từ trường tăng lên thì phổ RICs dịch chuyển về phía năng lượng cao. Các trường Zeeman không ảnh hưởng đến vị trí nhưng làm giảm nhẹ cường độ của đỉnh RICs. Bên cạnh đó, tương tác spin-quỹ đạo mạnh trong MoSe2 đơn lớp ảnh hưởng đáng kể đến các đỉnh gây nên bởi spin hướng lên và spin hướng xuống. Phổ RICs do dịch chuyển nội vùng nằm trong vùng THz trong khi phổ RICs do dịch chuyển liên vùng nằm trong vùng hồng ngoại gần. Với các tính chất quang thú vị của mình MoSe2 được hứa hẹn là một ứng viên tiềm năng cho các ứng dụng vào các thiết bị quang điện tử.