Bài báo này trình bày việc chế tạo lớp phủ SiC-Cu compozit trên nền thép C45 bằng kỹ thuật phun phủ plasma trong không khí hay dưới sự bảo vệ của khí Argon. Các thông số phun bao gồm (i) Tỷ lệ trộn bột phun 50SỈC 50 Cu, (ii) Tốc độ nạp bột 80g/min, (Ui) Tốc độ khí phun 200L/phút, (iv) Dòng điện hồ quang 380A, (v) Khoảng cách phun 50mm. Sau khi phun thì các lớp phủ compozit SiC-Cu được thẩm thấu của dung dịch huyền phù PTFE. Vi cấu trúc của các lớp phủ được phân tích bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM). Thành phần các nguyên tố có trong lớp phủ được đánh giá bằng phổ tán xạ tia X theo năng lượng (EDS). Phổ tổng trở điện hóa được sử dụng để phân tích tính chất điện hóa của các lớp phủ. Các kết quả thu được chứng tỏ lớp phủ PTFE/SiC-Cu bảo vệ hiệu quả cho nền thép trong môi trường ăn mòn chứa 3,5 % NaCl.