Tính chất quang điện hóa của MoS2 lắng đọng trên thanh nano đồng ôxít

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đình Viên Dư, Tiến Đại Nguyễn, Tiến Thành Nguyễn, Hữu Toàn Trần, Thị Bích Vũ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Khoa học và Công nghệ (Đại học Công nghiệp Hà Nội), 2021

Mô tả vật lý: 129-134

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 432430

Trình bày đặc trưng quang điện hóa của màng mỏng MoS2 lắng đọng trên thanh nano đồng ôxít (CuO/MoS2) được tổng hợp bằng phương pháp biến tính nhiệt và lắng đọng hơi hóa học cơ kim. Cấu trúc thanh nano CuO/MoS2 này thể hiện sự tăng cường quá trình phân tách và truyền nhanh các hạt tải quang dưới điều kiện kích thích ánh sáng trong các tế bào quang điện hóa dựa vào thế hiệu nội tại hình thành giữa hai lớp tiếp giáp MoS2 và CuO. Linh kiện quang điện hóa được chế tạo từ cấu trúc thanh nano MoS2/CuO cung cấp mật độ dòng quang 8,7mA/cm2 và hiệu suất chuyển đổi quang học 0,70% ở điện thế -1,0V (giá trị này cao hơn so với tế bào quang điện hóa được chế tạo khi chỉ sử dụng thanh CuO (6,12mA/cm2 , h = 0,42%). Dựa trên kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng tới phát triển loại tế bàoquang điện tử bằng sự kết hợp giữa màng mỏng MoS2 và các vật liệu bán dẫn ô xít kim loại nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang học.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH