Nhận xét sự thay đổi áp lực nội sọ và sự thay đổi của đường kính bao dây thần kinh thị dưới siêu âm của các bệnh nhân đột quỵ cấp

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anh Tuấn Nguyễn, Xuân Trung Vương

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Y học Việt Nam (Tổng hội Y học Việt Nam), 2023

Mô tả vật lý: 208-212

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 439406

 Siêu âm đường kính bao dây thần kinh thị sau nhãn cầu là một kỹ thuật mới, dễ thực hiện và tỏ ra có hiệu quả cao trong việc theo dõi xu hướng diễn biến của áp lực nội sọ trên những bệnh nhân hồi sức thần kinh tại các khoa hồi sức cấp cứu. Chúng tôi tiến hành nghiên cứu sự thay đổi của đường kính bao dây thần kinh thị sau nhãn cầu trên 29 bệnh nhân có tăng áp lực nội sọ và có diễn biến tăng hoặc giảm dựa trên số liệu thu thập bằng các biện pháp đo áp lực nội sọ chính xác (xâm lấn). Kết quả nghiên cứu cho thấy có mối tương quan chặt chẽ giữa áp lực nội sọ và đường kính bao thần kinh thị trên siêu âm với r = 0.85 (<
  0.05) khi áp lực nội sọ dao động trong khoảng từ 20 - 40mmHg. Khi ALNS >
  = 40mmHg, không còn mối tương quang này. Mối tương quan giữa ONSD và ALNS chặt chẽ hơn khi ALNS tăng r = 0.84 (p <
  0.05) so với khi ALNS giảm r = 0.39 (p = 0.2). Như vậy đo đường kính bao dây thần kinh thị có thể chẩn đoán nhanh khi áp lực nội sọ tăng, đặc biệt khi áp lực nội sọ từ 20 - 40mmHg có thể dùng ONSD để dự đoán ALNS được. Khi áp lực nội so có xu hướng giảm thì đường kính thần kinh thị trên siêu âm cũng đáp ứng nhưng chậm hơn.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH