Tính chất quang điện hóa của cấu trúc lai giữa thanh nano ZnO với một vài đơn lớp MoS2

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Thu Hiền Bùi, Minh Tân Mẫn, Mạnh Hùng Nguyễn, Tiến Đại Nguyễn, Tiến Thành Nguyễn, Đại Lâm Trần, Thị Kim Chi Trần, Thị Bích Vũ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học Đại học Huế, 2020

Mô tả vật lý: 15-22

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 441918

Trong bài báo này, chúng tôi trình bày đặc trưng quang điện hóa của một vài đơn lớp MoS2 trên thanh nano ZnO (ZnO/MoS2) được tổng hợp bằng phương pháp thủy nhiệt và lắng đọng hơi hóa học cơ kim. Cấu trúc lai hóa này cho thấy khả năng tăng cường sự phân tách cặp điện tử - lỗ trống dưới điều kiện kích thích và tốc độ truyền cặp hạt tải nhanh trong các tế bào quang điện dựa vào thế hiệu nội tại (built-in potential) hình thành trên lớp tiếp giáp giữa ZnO và MoS2. Tế bào quang điện hóa chế tạo dựa trên cấu trúc ZnO/MoS2 có mật độ dòng 1,15 mA·cm-2 và hiệu suất 0,61% ở điện thế cung cấp 0,2 V (cao hơn 6,3 lần so với tế bào quang điện hóa khi chế tạo khi sử dụng thanh nano ZnO). Từ kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng đến khả năng kết hợp giữa một vài đơn lớp MoS2 với các vật liệu quang xúc tác truyền thống khác như ô xít kim loại hoặc Si nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang học của linh kiện quang điện tử.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH