Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Hoàng Diễm Lý, Thị Quế Trinh Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh Nguyễn, Tiến Phát Phạm

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 530.14 Field and wave theories

Thông tin xuất bản: Khoa học (Đại học Cần Thơ), 2021

Mô tả vật lý: 78-85

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 442106

Nghiên cứu được thực hiện nhằm khảo sát độ linh động của khí điện tử hai chiều trong một giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe tại nhiệt độ bất kỳ khi không có từ trường và khi bị phân cực bởi từ trường, xem xét tới hai cơ chế tán xạ tán xạ tạp chất xa và tán xạ giao diện nhám có tính tới hiệu ứng tương quan-trao đổi và hiệu chỉnh trường cục bộ. Bên cạnh đó, sự phụ thuộc của mật độ tới hạn vào mật độ hạt tải, bề rộng giếng thế, khoảng cách lớp tạp chất, nhiệt độ và từ trường cũng được nghiên cứu. Tại nhiệt độ dưới 2 K, kết quả nghiên cứu này phù hợp với các kết quả đi trước. Các kết quả này có thể sử dụng để định hướng thực nghiệm trong việc nuôi cấy mẫu và kiểm soát nhiệt độ của hệ khi đo đạc mật độ tới hạn và thông tin về các cơ chế tán xạ trong giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH