Màng mỏng SnO được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng magnetron DC với bia phún xạ kim loại thiếc và khí phản ứng oxi, nhiệt độ đế (Ts) thay đổi từ 150oC đến 300oC trong suốt quá trình phún xạ. Khi nhiệt độ đế thay đổi từ 150oC đến 300oC thì có sự xuất hiện các pha ngoại lai β-Sn và SnO2 trong cấu trúc màng SnO. Các đặc trưng của màng SnOx được đánh giá thông qua phổ UV-Vis, giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), hiệu ứng Hall, hình thái bề mặt bằng ảnh AFM. Màng SnO chế tạo ở nhiệt độ 250oC có tính chất điện tốt nhất, có nồng độ hạt tải NH = 1,552.1017cm-3, độ linh động μ = 7,581 cm2/Vs, điện trở suất ρ = 5,31 (Ωcm) và độ dẫn σ = 0,19 (Ω-1cm-1) và không xuất hiện hiện các pha ngoại lai, β-Sn và SnO2 đủ điều kiện cơ bản ứng dụng làm lớp thu lỗ trống trong linh kiện quang điện.,