Nghiên cứu chế tạo màng mỏng chống phản xạ ti-sio2 cho các ứng dụng trên tấm panel pin mặt trời

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Quốc Khánh Đặng, Đức Huynh Mai, Đăng Tuyên Nguyễn, Duy Cường Nguyễn, Vũ Giang Nguyễn, Hữu Trung Trần, Xuân Anh Trịnh, Đức Huy Vũ

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 620 Engineering and allied operations

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Thái Nguyên, 2022

Mô tả vật lý: 64-69

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 443553

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Tóm tắt
Chủ đề

Trong bài báo này chúng tôi tập trung nghiên cứu và tổng hợp màng mỏng Ti-SiO2 cho ứng dụng làm màng chống phản xạ. Các màng Ti- SiO2 được chế tạo trên đế kính bằng phương pháp in gạt kết hợp với xử lý nhiệt. Các màng Ti-SiO2 thu được sau khi chế tạo là hỗn hợp nanocomposite của các hạt nano SiO2 và TiO2. Các kết quả thu được cho thấy hàm lượng Ti đã ảnh hưởng khá mạnh đến độ truyền qua cũng như đặc tính ưa nước của màng. Với sự thay đổi của tỷ lệ phần trăm Ti từ 7% đến 27%, độ truyền qua của kính phủ Ti-SiO2 tăng từ 90,2 lên 94,7%. Kính phủ màng chống phản xạ Ti-SiO2 có độ truyền qua cao nhất là 94,7% tại bước sóng 550 nm khi phần trăm Ti là 9% và bề dày màng là ~ 100 nm. Ngoài ra, các màng phủ Ti-SiO2 đều có tính chất ưa nước, với góc tiếp xúc nằm trong khoảng 4,2-59,8°. Các kết quả về độ truyền qua và đặc tính ưa nước cho thấy vật liệu Ti- SiO2 rất có tiềm năng cho ứng dụng làm lớp chống phản xạ trong các tấm panel pin năng lượng mặt trời.

Tạo bộ sưu tập với mã QR