EFFECT OF TEMPERATURE AND TIME OF BAKING PHASE ON SU-8 PR FILM USED AS A HARD MASK FOR A DEEP LITHOGRAPHY

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Tuấn Anh Bùi

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học & Công nghệ - Đại học Công nghiệp Hà Nội, 2020

Mô tả vật lý:

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 444126

Biên dạng bề mặt của thiết bị hội tụ Fresnel trong quá trình chế tạo phụ thuộc vào nhiềuyếu tố bao gồm độ dày, độ phẳng và độ rõ nét hoa văn của lớp cản quang (PR) được sử dụnglàm mặt nạ cứng trong kỹ thuật quang khắc Si. Vật liệu cản quang SU-8 với độ nhớt cao, cókhả năng tạo ra các lớp cản quang có độ dày lớn, có thể được sử dụng làm mặt nạ cứng trongquy trình chế tạo thiết bị hội tụ Fresnel. Tuy nhiên, để đạt được độ dày màng khoảng 10µm vớiyêu cầu bề mặt phẳng và không có bọt khí sau các giai đoạn sấy là rất khó khăn. Bài báo nàytrình bày ảnh hưởng của nhiệt độ và thời gian sấy lên chất lượng của màng vật liệu cản quangSU-8. Theo đó, để đạt được chất lượng cần thiết của lớp cản quang, giai đoạn sấy gồm hai bướcđã được sử dụng. Thời gian và nhiệt độ cho sấy mềm tương ứng là 60 phút và 60°C, trong khigiai đoạn sấy sau phơi sáng phải được giữ ở 90°C trong khoảng một giờ. Kết quả thử nghiệmcho thấy các khuyết tật trên lớp vật liệu cản quang bao như các vết nứt, bọt khí đã được loạibỏ. Do đó, các thông số sấy này là phù hợp cho ứng dụng đã sử dụng màng cản quang dày làmmặt nạ cứng trong quy trình quang khắc sâu.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH