Thiết kế nguồn điện áp tham chiếu Bandgap công suất thấp sử dụng công nghệ CMOS 28nm

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đức Huy Nguyễn, Kim Ánh Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 621 Applied physics

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Đà Nẵng , 2020

Mô tả vật lý: 29-34

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 444672

Khối tham chiếu Bandgap là một thành phần cơ bản, đóng vai trò thiết yếu trong nhiều thiết kế mạch tương tự và mạch số hiện nay. Chức năng quan trọng nhất của khối tham chiếu là tạo ra điện áp hoặc dòng điện một chiều có giá trị cố định, ít bị phụ thuộc nhất vào sự biến đổi của mạch do nhiễu, sự thay đổi về điện áp nguồn cấp và biến thiên của nhiệt độ trong các điều kiện hoạt động khác nhau của mạch. Bài báo đề xuất một cấu trúc mạch tham chiếu Bandgap công suất thấp, được thực hiện trên công nghệ CMOS 28nm, hoạt động ổn định trong một dải điện áp nguồn từ 1,1 tới 2V với hệ số khử nhiễu nguồn 54dB. Vi mạch tạo giá trị điện áp tham chiếu đầu ra 0,6V và đạt được hệ số phụ thuộc nhiệt độ nhỏ hơn 10ppm/°C trong dải nhiệt độ hoạt động từ -40°C tới 105°C. Dưới điện áp nguồn 1,2V, mạch tiêu thụ dòng chỉ 2,87µA, cho ra công suất tiêu thụ 3,46µW.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH