Cải tiến thông số điều khiển cho nghịch lưu hình T trong điều kiện sự cố hở mạch khóa công suất

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đức Trí Đỗ, Ngọc Anh Trương

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 621 Applied physics

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ thuật - Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh, 2022

Mô tả vật lý: 74-83

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 446547

Trong bài báo này, một bộ nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình-T 3 bậc hoạt động ở điều kiện bình thường và điều kiện sự cố khóa công suất (3L qSBT2I-UFM) được trình bày. Cấu hình này được hình thành bởi hai mạng nguồn kháng đối xứng và bộ nghịch lưu hình T ba pha. Bên cạnh những lợi thế của bộ biến tần nguồn điện áp đa bậc, cấu hình của 3L qSBT2I-UFM được đặc trưng bởi khả năng chuyển mạch của linh kiện. Khi sự cố hở mạch xảy ra ở khóa công suất, việc giảm công suất đầu ra sẽ được bù bằng đặc tính tăng áp của mạng tăng áp tựa khóa chuyển mạch. Ngoài ra, cải tiến hệ số điều khiển sẽ giúp hệ thống đáp ứng nhanh đảm bảo chất lượng công suất đầu ra. Khả năng hoạt động ở điều kiện sự cố khóa công suất được thể hiện bằng một số kết quả thử nghiệm trong điều kiện bình thường và sự cố. Để kiểm chứng các đặc tính của mạng tăng áp tựa khóa chuyển mạch đa bậc này, một mô hình thử nghiệm cũng được xây dựng để kiểm chứng các kết quả thử nghiệm.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH