Trong nghiên cứu này, tính chất điện tử và tính chất quang của chấm lượng tử penta-graphene với hình thái khác nhau được khảo sát bởi việc sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Kết quả nghiên cứu cho thấy, H-ZZ36 là cấu trúc ổn định nhất với đỉnh phổ hấp thụ khoảng 320 nm ở vùng tử ngoại. Khi cấu trúc này được tôi hóa biên lần lượt bằng các nguyên tử Silicon (Si), Phosphorus (P), Oxygen (O) và Fluorine (F), độ rộng vùng cấm được thu hẹp so với việc tôi hóa biên bởi nguyên tử Hydrogen (H). Thêm vào đó, đỉnh phổ hấp thụ của các cấu trúc trên dịch chuyển về vùng khả kiến với bước sóng tương ứng từ 350 nM đến 760 nM hoặc đỉnh hấp thụ nằm trong vùng hồng ngoại gần. Điều này cho thấy, thay đổi yếu tố tôi hóa là một trong những phương pháp hữu ích để phát triển những ứng dụng của chấm lượng tử penta-graphene trong các thiết bị quang điện tử.