Nghiên cứu tiết diện tán xạ vi phân trong tán xạ Raman trong dây lượng tử khi không có một phonon

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Thị Kim Cúc Lý, Thị Xuân Huynh Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học (Trường Đại học Quy Nhơn), 2019

Mô tả vật lý: 45613

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 447083

 Nghiên cứu bài toán dây lượng tử tiết diện tròn có chiều dài L, bán kính R đặt trong môi trường vô hạn làchân không chúng tôi tìm được trạng thái và năng lượng của điện tử dẫn và điện tử hóa trị. Sử dụng kết quả thuđược từ bài toán trên, thực hiện tính toán tiết diện tán xạ vi phân cho tán xạ Raman xét ở nhiệt độ T = 0 K (với giảthiết đặt ra là ở trạng thái đầu, vùng hóa trị bị chiếm hoàn toàn và vùng dẫn trống hoàn toàn, photon tới có nănglượng là ωlh
  trạng thái cuối bao gồm một điện tử ở trong vùng dẫn và một lỗ trống ở vùng hóa trị và photon phátra có năng lượng s hω ). Bằng cách sử dụng Hamiltonian mô tả quá trình trong đó điện tử tương tác với trường điệntừ và khảo sát hai quá trình khả dĩ xảy ra trong tán xạ Raman trên điện tử chúng tôi sẽ tính các biên độ chuyển mứccủa hai quá trình khả dĩ này
  từ đây, chúng tôi sẽ được tốc độ chuyển mức cho toàn bộ quá trình tán xạ và cuốicùng chúng tôi thu được công thức tính tiết diện tán xạ vi phân. Thực hiện tính số với dây lượng tử GaAs sẽ thấyvị trí của các đỉnh của tiết diện tán xạ không phụ thuộc vào tần số của photon tới, mà nó chỉ phụ thuộc vào hiệu sốgiữa các mức năng lượng, tuy nhiên khi thay đổi kích thước của dây lượng tử thì độ cao của các đỉnh thay đổi theochiều ngược lại với sự thay đổi kích thước của dây.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH