Trong nghiên cứu này, đặc tính điện tử và tính chất vận chuyển điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa pha tạp lần lượt boron (B), nhôm (Al), và gallium (Ga) tại hai vị trí khác nhau được khảo sát một cách có hệ thống bằng cách sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ và hàm Green không cân bằng. Cụ thể, cấu trúc vùng, mật độ trạng thái, đặc tuyến I(V) và phổ truyền qua của tất cả các mẫu được nghiên cứu một cách chi tiết. Kết quả cho thấy đặc tính điện tử và tính chất vận chuyển điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa được pha tạp không những phụ thuộc vào nguyên tố được pha tạp mà còn phụ thuộc vào vị trí được pha tạp. Đặc biệt, tất cả các mô hình được khảo sát có cường độ dòng tăng gấp 8 lần so với penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa thuần.