Chiết lỏng-lỏng Zirconi(IV) bằng tác nhân amin bậc cao CTAB/n-Hexan từ môi trường axit sunfuric

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Mạnh Nhương Chu, Thị Ánh Tuyết Nguyễn, Văn Quế Nguyễn

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 541.2 Theoretical chemistry

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Thái Nguyên, 2020

Mô tả vật lý: 243-248

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 448023

 Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu các điều kiện ảnh hưởng đến độ hấp thụ quang của phứcZrXO. Kết quả nghiên cứu cho thấy các điều kiện tối ưu như: bước sóng hấp thụ tối ưu là λ = 535nm, môi trường H2SO4 tối ưu là 0,35 M, / 5.0/5.2 3 3 5.10 5.10= − − Zr M XO MV V . Đường chuẩn xác định nồng độ, Zr(IV) trong môi trường H2SO4 0,35 M bằng XO là tuyến tính trong khoảng (10-4 ÷ 5.10-3 M) tạibước sóng 535 nm. Các điều kiện tối ưu khi chiết Zr(IV) bằng dung môi CTAB/n-hexan gồm:Zr(IV) 5.10-3 M, môi trường H2SO4 0,35 M, CTAB 10-4 M, Vo/Va = 1/1, thời gian tiếp xúc pha vàphân pha là 20 phút, hiệu suất chiết Zr(IV) đạt 73,26 %. Hiệu suất chiết Zr(IV) khi có Na2SO4 0,25M đạt cao nhất là 76,24 %. Đặc biệt, nhóm tác giả đã xây dựng các đường đẳng nhiệt chiết Zr(IV)trong các môi trường axit H2SO4 (0,15 - 1,0 M)
  theo giản đồ Mc Cable-Thiele với Vo/Va = 1/1 và2/1 số bậc chiết Zr(IV) lý thuyết lần lượt là 4 và 2
  qua 5 bậc chiết hiệu suất chiết Zr(IV) 5.10-3 Mđạt 96,21%
  dung lượng chiết Zr(IV) của CTAB 10-4 M/n-hexan qua 5 lần tiếp xúc pha là LO =0,4491 g/L.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH