Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si

0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Vu Thi-Nhai, Pham Van-Trung, Nguyen Xuan-Bao

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại:

Thông tin xuất bản: Tạp chí Khoa học và Công nghệ (Đại học Đà Nẵng), 2022

Mô tả vật lý: 142-145

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 448213

Thêm vào giỏ Liên kết toàn văn

Các mô phỏng động lực học phân tử được thực hiện để khảo sát sự phát triển màng mỏng Ge trên chất nền Si. Chế độ tăng trưởng, hình thái bề mặt và tỷ lệ bao phủ lớp nền của các nguyên tử Ge được nghiên cứu. Khi năng lượng tới của nguyên tử lắng đọng thấp hơn 0,1 eV thì bề mặt của màng mỏng Ge không phẳng, hình thành nhiều khoảng trống trong lớp phủ. Màng mỏng Ge phát triển theo chế độ từng lớp khi năng lượng tới tăng từ 0,1 eV đến 0,3 eV. Khi năng lượng tới được tăng từ 0,5 eV đến 1,0 eV, sự trộn lẫn giữa lớp phủ và chất nền xảy ra do các nguyên tử tới thâm nhập vào một số lớp chất nền. Khi năng lượng tới được tăng lên 10,0 eV, chế độ phún xạ được quan sát thấy. Khi lắng đọng với nhiệt độ của chất nền Si tăng từ 300 K đến 1000 K, năng lượng tới của nguyên tử lắng đọng 0,1 eV, chế độ tăng trưởng từng lớp vẫn được duy trì và bề mặt của lớp phủ khá phẳng. Nhiệt độ của chất nền Si tăng dẫn đến tỷ lệ bao phủ lớp nền của các nguyên tử Ge tăng lên.

1. Đọc trực tuyến

1. Đọc trực tuyến

Tạo bộ sưu tập với mã QR