Màng mỏng graphene: Sự hình thành trực tiếp từ vật liệu đế nền SiC thương mại

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Quốc Tuấn Đặng, Thanh Phương Nguyễn, Thị Hồng Thắm Nguyễn, Văn Dũng Nguyễn, Duy Hoài Trần, Thụy Tuyết Mai Trần, Hữu Lý Trương

Ngôn ngữ: vie

Ký hiệu phân loại: 620 Engineering and allied operations

Thông tin xuất bản: Tạp chí Công thương, 2022

Mô tả vật lý: 338-344

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 450209

 Vật liệu màng mỏng graphene trên đế nền SiC đã được chế tạo khi áp dụng phương pháp nhiệt thăng hoa trên nền vật liệu SiC thương mại. Phương pháp kính hiển vi điện tử quét SEM và phân tích thành phần nguyên tố trên bề mặt vật liệu bằng đầu dò EDX ghi nhận sự hiện diện đáng kể của vật liệu carbon khi sử dụng dòng điện cường độ 45 mA cho quá trình thăng hoa Si. Cụ thể, tỷ số mol nC/nSi là vào khoảng ~ 2.8 trên mẫu 145
  giá trị này cao gấp 2.5 lần so với giá trị ~ 1.1 của tỷ số nC/nSi được ghi nhận đế nền SiC thương mại. Kết quả phân tích Raman trên mẫu 145 ghi nhận sự xuất hiện các dao động đặc trưng của G band và 2D band lần lượt tại 1583 và 2700 cm-1 với tỷ số cường độ I2D/IG là ~ 0.72 phản ánh có khoảng 4 lớp màng mỏng graphene đã phát triển từ vật liệu thương mại SiC.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH