Công trình này nghiên cứu ảnh hưởng của đồng pha tạp Zn và N đến cấu trúc tinh thể, tính chất điện và hiệu ứng quang điện của cấu trúc dị thể p-SnO2:Zn-N/n-Si. Các màng SnO2 đồng pha tạp Zn và N (ZNTO) được lắng đọng trên đế silic loại n ở 300oC trong hỗn hợp khí phún xạ Ar/N2 khác nhau (%N = 0%, 30%, 50%, 60%, 70% và 80%) từ bia SnO2 chứa pha tạp 5 wt % ZnO bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể, hình thái bề mặt, thành phần hóa học, tính chất điện và hiệu ứng quang điện của màng ZNTO được khảo sát bằng các phép đo như nhiễu xạ tia X, FESEM, AFM, EDS, Hall và I-V. Kết quả thu được cho thấy tất cả các màng đều có cấu trúc tứ giác rutile và mặt SnO2 (101) là mặt trội ở điều kiện chế tạo tối ưu nhất 70% N2. Sự thay thế Sn4+bởi Zn2+ hay O2-bởi N3-được chứng minh bởi giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), phổ tán xạ năng lượng tia X (EDS). Điện trở suất thấp nhất đối với màng ZNTO-5-70 là ρ = 6,50×10-2Ω.cm, tương ứng nồng độ hạt tải n = 1,46×1019 cm-3và µ = 6,52 cm2 .V-1 .s-1 . Đặc trưng I-V của cấu trúc p–ZNTO–5–y/n–Si ở điều kiện chiếu sáng cho thấy tính chất điện loại p của các màng ZNTO–5–y và khả năng ứng dụng làm cảm biến quang. Ngoài ra, đặc trưng dòng đáp ứng quang của các màng ZNTO–5–y có độ nhạy cao và lặp lại tốt.