Bài báo này trình bày một số kết quả nghiên cứu chế tạo màng mỏng trong suốt ZnO: Ag (0% - 4%) trên đế thủy tinh hoặc Si, bằng phương pháp phún xạ r.f. magnetron. Ảnh hưởng của 3 mức công suất phún xạ là 125W, 150W, 175W lên tính chất của màng mỏng chế tạo trong môi trường Ar ở áp suất cố định 1 Pa đã được khảo sát. Cấu trúc của màng mỏng được nghiên cứu bằng các phương pháp nhiễu xạ tia X và tán xạ Raman. Kết quả cho thấy màng thu được có độ kết tinh tốt, có thể ứng dụng trong lĩnh vực điện tử hoặc quang điện tử.