Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Anh Tuấn Đào, Vũ Tuấn Hùng Lê, Hữu Kế Nguyên, Thị Kiều Loan Phan

Ngôn ngữ: Vie

Ký hiệu phân loại: 620 Engineering and allied operations

Thông tin xuất bản: Phát triển Khoa học và Công nghệ: Khoa học Tự nhiên (ĐHQG TP. Hồ Chí Minh), 2021

Mô tả vật lý: 1015-1023

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 458363

Trong công trình này, chúng tôi trình bày quy trình chế tạo lớp hấp thụ quang CZTSSe có cấu trúc tinh thể cao. Trước tiên CZTS được chế tạo bằng phương pháp quay phủ sau đó màng được chuyển đổi thành CZTSSe thông qua quá trình selen hóa bằng hộp than chì và lò nung ống. Bằng cách giữ cho nhiệt độ ủ không đổi và thay đổi thời gian ủ, các đặc tính cấu trúc, quang học, điện và thành phần của màng mỏng CZTSSe được khảo sát. Nhiễu xạ tia X và quang phổ Raman cho thấy những màng mỏng này thể hiện độ kết tinh cao và định hướng ưu tiên mạnh mẽ theo hướng (112), xác nhận sự hiện diện của pha Kesterite CZT Se. Độ rộng vùng cấm quang của màng mỏng CZTSSe, thay đổi từ 1,19 eV đến 1,62 eV, tùy thuộc vào thời gian selen hóa. Ở thời điểm ủ nhiệt 540oC với thời gian ủ nhiệt 60 phút, màng CZTSSe loại p có năng lượng vùng cấm quang là 1,19 eV, nồng độ lỗ trống và điện trở suất lần lượt là, 2,68 x 1019cm-3 và 0,86 (Ω.cm) phù hợp cho ứng dụng quang điện.
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH