Tăng khả năng phát hiện loạn sản vỏ não khu trú kín đáo với protocol MRI HARNESS trên MRI 3 Tesla: Ca lâm sàng

 0 Người đánh giá. Xếp hạng trung bình 0

Tác giả: Đăng Lộc Huỳnh, Văn Anh Vũ Đoàn, Minh Thương Trương, Tiến Trọng Nghĩa Hoàng, Thị Như Ý Huỳnh

Ngôn ngữ: Vie

Ký hiệu phân loại: 616.8 Diseases of nervous system and mental disorders

Thông tin xuất bản: Thần kinh học 2023

Mô tả vật lý: 20-24

Bộ sưu tập: Metadata

ID: 465406

Bất thường phát triển vỏ não là loại mô bệnh học thường gặp thứ ba, được tìm thấy ở 19,8% mẫu mô được lấy từ phẫu thuật động kinh. Trong số đó, loạn sản vỏ não khu trú (FCD) là dị tật phát triển vỏ não phổ biến nhất, chiếm 70,6% trường hợp. Theo hệ thống phân loại của Liên đoàn chống động kinh quốc tế (LĐCĐKQT), FCD được chia thành ba týp từ I đến III. Một bản cập nhật của phân loại FCD được để xuất với việc bổ sung các dị tật nhẹ về phát triển vỏ não (mMCDs), tăng sản thần kinh đệm ít nhánh (MOGHE) và “không có FCD xác định trên mô bệnh học” là các phân loại mới 2. Động kinh gây ra bởi FCD thường dẫn đến kháng thuốc và phẫu thuật có thể đạt kết quả tốt. Tuy nhiên, những bất thường trên MRI thường khó phát hiện và không thay đổi trong thời gian dài nên dễ bị bỏ sót. MRI với các chuỗi xung chuyên biệt và công cụ xử lý hình ảnh có thể giúp phát hiện tổn thương FCD tốt hơn. Trong báo cáo này, chúng tôi trình bày một trường hợp lâm sàng động kinh có tổn thương loạn sản vỏ não khu trú được phát hiện bằng protocol HARNESS trên máy MRI 3 Tesla (3T).
1. 
Tạo bộ sưu tập với mã QR

THƯ VIỆN - TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP.HCM

ĐT: (028) 71010608 | Email: tt.thuvien@hutech.edu.vn

Copyright @2024 THƯ VIỆN HUTECH